The invention relates to a semiconductor integrated circuit and a method of
manufacturing the same, and particularly, to prevention of a drop in the
performance and reliability of a semiconductor integrated circuit device,
which would otherwise be induced by degassing arising in a TEOS/CVD
silicon oxide film provided on a back surface of a semiconductor
substrate. There are proposed a semiconductor substrate in which a
TEOS/CVD silicon oxide film provided on a back surface of the
semiconductor substrate is coated with another dielectric film; a
semiconductor substrate not having a TEOS/CVD silicon oxide film on a back
surface thereof; a semiconductor substrate in which a TEOS/CVD silicon
oxide film is removed from a back surface of the substrate; and a
semiconductor substrate in which a thin TEOS/CVD silicon oxide film--which
involves degassing falling within a tolerance is provided on a back
surface of the substrate.
Die Erfindung bezieht auf einer Halbleiterintegrierten Schaltung und einer Methode der Produktion dasselbe und besonders, zur Verhinderung eines Tropfens der Leistung und der Zuverlässigkeit einer Halbleiterschaltungvorrichtung, die anders durch das entgasende Entstehen in einem TEOS/CVD Silikon-Oxidfilm verursacht würde, der auf einer rückseitigen Oberfläche eines Halbleitersubstrates bereitgestellt wurde. Dort werden einem Halbleitersubstrat vorgeschlagen, in dem ein TEOS/CVD Silikon-Oxidfilm, der auf einer rückseitigen Oberfläche des Halbleitersubstrates bereitgestellt wird, mit einem anderen dielektrischen Film beschichtet wird; ein Halbleitersubstrat, das nicht einen TEOS/CVD Silikon-Oxidfilm auf einer rückseitigen Oberfläche davon hat; ein Halbleitersubstrat, in dem ein TEOS/CVD Silikon-Oxidfilm von einer rückseitigen Oberfläche des Substrates entfernt wird; und in dem ein Halbleitersubstrat ein dünner TEOS/CVD Silikon-Oxidfilm -- der miteinbezieht, das Fallen innerhalb einer Toleranz zu entgasen wird zur Verfügung gestellt auf einer rückseitigen Oberfläche des Substrates.
