Provided are a semiconductor device comprising a polymetal gate electrode
that can prevent formation of a silicide layer at the interface between
metal and conductive silicon and also exhibit low resistance property and
ohmic property, and a method for manufacturing the same. Specifically, a
polymetal gate electrode is formed via a gate insulating film (2), e.g.,
an oxide film, on a semiconductor substrate (1), e.g., a silicon
substrate. The polymetal gate electrode has such a structure that a
conductive silicon film (3), e.g., a poly-Si film, a silicide film (4),
e.g., a WSi film, a barrier film (5), e.g., a WSiN film, and a metal film
(6), e.g., a W film, are stacked over the semiconductor substrate (1) in
the order named.
При условии прибора на полупроводниках состоя из polymetal электрода строба может предотвратить образование слоя силицида на поверхности стыка между металлом и проводным кремнием и также exhibit низкое свойство сопротивления и омовское свойство, и метод для изготовлять эти же. Специфически, polymetal электрод строба сформирован через пленку строба изолируя (2), например, пленка окиси, на субстрате полупроводника (1), например, субстрат кремния. Polymetal электрод строба имеет такую структуру проводной пленке кремния (3), например, поли-Kremni1 пленка, пленка силицида (4), например, пленка WSi, пленка барьера (5), например, пленка WSiN, и пленка металла (6), например, пленка ш, штабелируют над субстратом полупроводника (1) в названном заказе.
