The invention includes a memory cell sensing system. The memory cell
sensing system includes a plurality of memory cells located on a first
plane of an integrated circuit. The system further includes a plurality of
sense amplifiers located on a sense plane that is adjacent to the first
plane. Each sense amplifier is connectable to at least one memory cell
based upon a relative location of each sense amplifier with respect to
locations of the at least one memory cell. The invention also includes a
method of sensing a state of a selected memory cell within a plurality of
memory cells. A plurality of the memory cells are located on a first plane
of an integrated circuit. A plurality of sense amplifiers are located on a
sense plane that is adjacent to the first plane. The method includes
connecting a sense amplifier to at least one memory cell based upon a
relative location of each sense amplifier with respect to locations of the
at least one memory cell.
Η εφεύρεση περιλαμβάνει ένα αισθαμένος σύστημα κυττάρων μνήμης. Το αισθαμένος σύστημα κυττάρων μνήμης περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των κυττάρων μνήμης που βρίσκονται σε ένα πρώτο αεροπλάνο ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος. Το σύστημα περιλαμβάνει περαιτέρω μια πολλαπλότητα των ενισχυτών αίσθησης που βρίσκονται σε ένα αεροπλάνο αίσθησης που είναι δίπλα στο πρώτο αεροπλάνο. Κάθε ενισχυτής αίσθησης είναι συνδέσιμος τουλάχιστον σε ένα κύτταρο μνήμης που εδρεύει επάνω σε μια σχετική θέση κάθε ενισχυτή αίσθησης όσον αφορά τις θέσεις του τουλάχιστον ενός κυττάρου μνήμης. Η εφεύρεση περιλαμβάνει επίσης μια μέθοδο μια κατάσταση ενός επιλεγμένου κυττάρου μνήμης μέσα σε μια πολλαπλότητα των κυττάρων μνήμης. Μια πολλαπλότητα των κυττάρων μνήμης βρίσκεται σε ένα πρώτο αεροπλάνο ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος. Μια πολλαπλότητα των ενισχυτών αίσθησης βρίσκεται σε ένα αεροπλάνο αίσθησης που είναι δίπλα στο πρώτο αεροπλάνο. Η μέθοδος περιλαμβάνει τη σύνδεση ενός ενισχυτή αίσθησης με τουλάχιστον ένα κύτταρο μνήμης που εδρεύει επάνω σε μια σχετική θέση κάθε ενισχυτή αίσθησης όσον αφορά τις θέσεις του τουλάχιστον ενός κυττάρου μνήμης.
