The method and system herein pertain to an EUV photon source which includes
a plasma chamber filled with a gas mixture, multiple electrodes within the
plasma chamber defining a plasma region and a central axis, a power supply
circuit connected to the electrodes for delivering a main pulse to the
electrodes for energizing the plasma around the central axis to produce an
EUV beam. The system can also include a preionizer for ionizing the gas
mixture in preparing to form a dense plasma around the central axis upon
application of the main pulse from the power supply circuit to the
electrodes. A set of baffles may be disposed along the beam path outside
of the pinch region to diffuse gaseous and contaminant particulate flow
emanating from the pinch region and to absorb or reflect acoustic waves
emanating from the pinch region away from the pinch region.
El método y el sistema adjunto pertenecen a una fuente que incluya un compartimiento llenado de una mezcla del gas, electrodos múltiples del plasma dentro del compartimiento del plasma que define una región del plasma y un eje central, un circuito del fotón de EUV de la fuente de alimentación conectado con los electrodos para entregar un pulso principal a los electrodos para energizar el plasma alrededor del eje central para producir una viga de EUV. El sistema puede también incluir un preionizer para ionizar la mezcla del gas en la preparación formar un plasma densa alrededor del eje central sobre el uso del pulso principal del circuito de la fuente de alimentación a los electrodos. Un sistema de bafles se puede disponer a lo largo de la trayectoria de viga fuera de la región del sujetador para difundir el flujo de partículas gaseoso y del contaminante que emana de la región del sujetador y para absorber o para reflejar las ondas acústicas que emanan de la región del sujetador lejos de la región del sujetador.
