In a surface emitting laser apparatus having at least a light-emitting
device, there is provided a cavity structure of the light-emitting device
including a first n-type semiconductor multi-layer mirror, a first active
layer, a p-type spacer layer, a second active layer, and a second n-type
semiconductor multi-layer mirror formed on a substrate. Current
confinement structures are formed in the vicinity of the first and second
active layers, respectively. A p-side electrode is electrically connected
to the p-type spacer layer. A first n-side electrode is electrically
connected to the first n-type semiconductor multi-layer mirror, and a
second n-side electrode is electrically connected to the second n-type
semiconductor multi-layer mirror.
В поверхности испуская прибор лазера имея по крайней мере светоиспускающое приспособление, обеспечено структуре полости светоиспускающого приспособления включая зеркало первого полупроводника н-tipa разнослоистое, первый активно слой, слой прокладки п-tipa, второй активно слой, и сформированное зеркало второго полупроводника н-tipa разнослоистое на субстрате. В настоящее время структуры удерживания сформированы в близости первых и вторых активно слоев, соответственно. Электрод п-storony электрически подключен к слою прокладки п-tipa. Первый электрод н-storony электрически соединен к зеркалу первого полупроводника н-tipa разнослоистому, и второй электрод н-storony электрически соединен к зеркалу второго полупроводника н-tipa разнослоистому.
