A reverse-blocking power semiconductor component includes a drift path
subdivided into a source-side area and a drain-side area by a region with
opposite doping. Provided above this region is a gate. Alternatively, the
body zone of the one conduction type is subdivided into a source-side part
and a drain-side part by a region of the other conduction type. This
region acts as an electron collector. The reverse-blocking power
semiconductor component can be incorporated in compensation components,
and power transistors. Methods for producing power semiconductor
components are also provided.
Ein Rück-blockierender Energie Halbleiterbestandteil schließt einen Antriebweg mit ein, der in einen Quelle-Seite Bereich und in einen Ablassenseite Bereich durch eine Region mit dem gegenüberliegenden Lackieren unterteilt wird. Über dieser Region gestellt ein Gatter zur Verfügung. Wechselweise wird die Körperzone der einer Übertragung Art in ein Quelle-Seite Teil und in ein Ablassenseite Teil durch eine Region der anderen Übertragung Art unterteilt. Diese Region dient als ein Elektronkollektor. Der Rück-blockierende Energie Halbleiterbestandteil kann in den Ausgleich Bestandteilen und in den Energie Transistoren enthalten werden. Methoden für das Produzieren der Energie Halbleiterbestandteile werden auch zur Verfügung gestellt.
