Interband tunnel diodes which are compatible with Si-based processes such
as, but not limited to, CMOS and SiGe HBT fabrication. Interband tunnel
diodes are disclosed (i) with spacer layers surrounding a tunnel barrier;
(ii) with a quantum well adjacent to, but not necessarily in contact with,
one of the injectors, and (iii) with a first quantum well adjacent to, but
not necessarily in contact with, the bottom injector and a second quantum
well adjacent to, but not necessarily in contact with, the top injector.
Process parameters include temperature process for growth, deposition or
conversion of the tunnel diode and subsequent thermal cycling which to
improve device benchmarks such as peak current density and the
peak-to-valley current ratio.
Interband Tunneldioden, denen mit Silikon-gegründeten Prozessen kompatibel seien Sie wie, aber begrenzt nicht auf, CMOS und SiGe HBT Herstellung. Interband Tunneldioden sind freigegebenes (i) mit den Distanzscheibe Schichten, die eine Tunnelsperre umgeben; (ii) mit einer Menge gut neben, aber nicht notwendigerweise in Verbindung mit, einem der Injektoren und (iii) mit einer ersten Menge gut neben, aber nicht notwendigerweise in Verbindung mit, dem unteren Injektor und einer zweiten Menge gut neben, aber nicht notwendigerweise in Verbindung mit, der obere Injektor. Prozeßparameter schließen Temperaturprozeß für Wachstum, Absetzung oder Umwandlung der Tunneldiode und des folgenden thermischen Radfahrens ein, das Vorrichtung Festpunkte wie Spitzenstromdichte und der Spitze-zu-Senke Liquiditätsgrad verbessern.
