Magnetic tunnel junction MRAM with improved stability

   
   

An MRAM cell includes a pinned layer, a free layer, and a bit line with a magnetic sheath. The magnetic sheath allows a magnetic field to circulate in a loop around the bit line. The looping magnetic field can couple with the magnetic field of the free layer for enhanced stability with respect to stray magnetic fields and elevated temperatures.

Een cel MRAM omvat een gespelde laag, een vrije laag, en een beetjelijn met een magnetische schede. De magnetische schede staat een magnetisch veld toe om in een lijn rond de beetjelijn door te geven. Het van een lus voorziende magnetische gebied kan aan het magnetische veld van de vrije laag voor verbeterde stabiliteit met betrekking tot verdwaalde magnetische gebieden en opgeheven temperaturen koppelen.

 
Web www.patentalert.com

< Si-based resonant interband tunneling diodes and method of making interband tunneling diodes

< Light emitting device and manufacturing method thereof

> Magnetic memory element having controlled nucleation site in data layer

> MRAM configuration having selection transistors with a large channel width

~ 00137