The present invention comprises the steps of performing a reforming process
on a surface of a low dielectric constant insulation film formed on a
substrate which includes one of a porous low dielectric constant
insulation film and a non-porous low dielectric constant insulation film
and forming an insulation film as at least one of an etching mask and a
Chemical Mechanical Polishing stopper (CMP stopper) on the reformed
surface of the low dielectric constant insulation film. For example,
plasma is radiated as a reforming process mentioned above, the surface
roughness of a low dielectric insulation film is increased and, as a
result, adhesion between the films and also between the inter-layer
insulation film and other neighboring films can be improved with so-called
"anchor effect".
A invenção atual compreende as etapas de executar um processo reformando em uma superfície de uma película baixa da isolação da constante dieléctrica dada forma em uma carcaça que inclua um de uma película baixa porosa da isolação da constante dieléctrica e de uma película baixa non-porous da isolação da constante dieléctrica e de dar forma a uma película da isolação enquanto ao menos um de uma máscara gravando e de um bujão lustrando mecânico químico (bujão do CMP) na superfície reformada da película baixa da isolação da constante dieléctrica. Para o exemplo, o plasma radiated enquanto um processo reformando mencionado acima, a aspereza de superfície de uma película dieléctrica baixa da isolação é aumentado e, em conseqüência, a adesão entre as películas e também entre a película da isolação do inter-layer e outras películas neighboring pode ser melhorada com da "efeito so-called escora".
