Dual stripe spin valve sensor without antiferromagnetic pinning layer

   
   

A dual-stripe current-pinned spin valve magnetoresistive read sensor includes a first soft ferromagnetic (FM) layer separated from a second soft FM layer by a first spacer layer formed of conductive material. The first spacer layer is also configured to receive a first biasing current for generating a first magnetic field of sufficient strength to saturate the first soft FM layer. The read sensor further includes a third soft FM layer and a fourth soft FM layer separated by a second spacer layer formed of conductive material. The second spacer layer is configured to receive a second biasing current for generating a second magnetic field of sufficient strength to saturate the fourth soft FM layer. An insulation layer also is disposed between the second soft FM layer and the third FM layer. The first and second biasing currents thereby pin magnetizations of the first and fourth soft FM layers, while having a combined negligible effect on magnetizations of substantial portions of the second and third soft ferromagnetic layers.

Ein Doppel-Streifen gegenwärtig-festgesteckter magnetoresistenter gelesener Sensor des Drehbeschleunigungventils schließt eine erste weiche ferromagnetische Schicht (FM) ein, die von einer zweiten weichen FM Schicht durch eine erste Distanzscheibe Schicht getrennt wird, die vom leitenden Material gebildet wird. Die erste Distanzscheibe Schicht wird auch zusammengebaut, um einen ersten beeinflussenden Strom für das Erzeugen ein erstes magnetisches zu empfangen auffangen von der genügenden Stärke, um die erste weiche FM Schicht zu sättigen. Der gelesene Sensor schließt weiter eine dritte weiche FM Schicht und eine vierte weiche FM Schicht ein, die durch eine zweite Distanzscheibe Schicht getrennt wird, die vom leitenden Material gebildet wird. Die zweite Distanzscheibe Schicht wird zusammengebaut, um eine Sekunde Strom für das Erzeugen ein zweites magnetisches beeinflussend zu empfangen auffangen von der genügenden Stärke, um die vierte weiche FM Schicht zu sättigen. Eine Isolierung Schicht auch wird zwischen der zweiten weichen FM Schicht und der dritten FM Schicht abgeschaffen. Die ersten und zweiten beeinflussenden Ströme stecken dadurch Magnetisierung der ersten und vierten weichen FM Schichten, beim Haben eines kombinierten unwesentlichen Effektes auf Magnetisierung der erheblichen Teile von dem zweiten und an dritter Stelle der weichen ferromagnetischen Schichten fest.

 
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< Read head shield having improved stability

< Side flux guide for current perpendicular to plane magnetoresistive transducer

> Method and apparatus for improved pinning strength for self-pinned giant magnetoresistive heads

> Magnetic sensor, magnetic head and magnetic recording apparatus

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