A Giant Magneto-Resistive (GMR) sensor (800) provides increased GMR effect
through the use of composite laminate structure (870) as the second of two
self-pinned layers of Anti-Parallel (AP) self-pinned layer 865. A positive
magnetostrictive material forms the embedded layer (820) of AP pinned
layer (865) to increase the perpendicular to Air Bearing Surface (ABS)
intrinsic anisotropy field (H.sub.k). The embedded layer (820) of AP
pinned layer (865) has no effect on the GMR stack texture, since outer
ferromagnetic layers (815 and 825) are provided to control the GMR stack
texture.
Une sonde (GMR) magnétorésistante géante (800) fournit l'effet accru de GMR par l'utilisation de la structure de stratifié de composé (870) pendant que la seconde de deux couches de art de l'auto-portrait-pinned (AP) d'une couche Anti-Parallèle 865 de art de l'auto-portrait-pinned. Un matériel magnétostrictif positif forme la couche incluse (820) d'une couche goupillée par AP (865) pour augmenter la perpendiculaire au champ intrinsèque d'anisotropie de surface de galet pneumatique (ABS) (H.sub.k). La couche incluse (820) d'une couche goupillée par AP (865) n'a aucun effet sur la texture de pile de GMR, puisque des couches ferromagnétiques externes (815 et 825) sont fournies pour commander la texture de pile de GMR.
