A method for forming three gate oxide films having different thickness in
first through third circuit areas, respectively. The method includes the
consecutive steps of forming a first gate oxide film having a largest
thickness in all the areas, removing the first gate oxide film and forming
a second gate oxide film having a second largest thickness in the second
circuit area, and removing the first gate oxide and forming a third gate
oxide film having a smallest thickness in the third circuit area. The
resultant gate oxide films have accurate thicknesses.
Um método para dar forma a três películas do óxido da porta que têm a espessura diferente dentro primeiramente com as terceiras áreas do circuito, respectivamente. O método inclui as etapas consecutivas de dar forma a uma primeira película do óxido da porta que tem uma espessura a maior em todas as áreas, removendo a primeira película do óxido da porta e dando forma a uma segunda película do óxido da porta que tem uma segunda espessura a maior na segunda área do circuito, e removendo o primeiro óxido da porta e dando forma a uma terceira película do óxido da porta que tem uma espessura a menor na terceira área do circuito. As películas resultantes do óxido da porta têm espessuras exatas.
