Technique for suppression of edge current in semiconductor devices

   
   

A passive mechanism suppresses injection, into any active guard regions interposed between the edge of a photodiode array chip and the outer photodiode pixels or into the outer pixels themselves, of minority carrier current generated in the physically disrupted region at the edge of the semiconductor die created by cleaving, sawing or otherwise separating the chip from the remainder of the wafer on which the die was fabricated. A thin metallic layer covers all or part of the edge region, thereby creating a Schottky barrier. This barrier generates a depletion region in the adjacent semiconductor material. The depletion region inherently creates an energy band distribution which preferentially accelerates minority carriers generated or near the metal-semiconductor interface towards the metal, thereby suppressing collection of these carriers by any active regions of the guard structure or by the photodiode pixels.

Een passief mechanisme onderdrukt injectie, in om het even welke actieve wachtgebieden die tussen de rand van een spaander van de fotodiodeserie en de buitenfotodiodepixel worden ingevoegd of in de buitenpixel zelf, van de stroom van de minderheidsdrager die in het fysisch onderbroken gebied bij de rand van de halfgeleidermatrijs wordt geproduceerd die door het splijten van, anders de spaander te zagen of te scheiden van de rest van het wafeltje wordt gecreeerd waarop de matrijs werd vervaardigd. Een dunne metaallaag behandelt alles of een gedeelte van het randgebied, daardoor creërend een barrière Schottky. Deze barrière produceert een uitputtingsgebied in het aangrenzende halfgeleidermateriaal. Het uitputtingsgebied creëert inherent een distributie van de energieband die geproduceerde minderheids bij voorkeur dragers versnelt of de metaal-halfgeleider interface naar het metaal nadert, daardoor onderdrukkend inzameling van deze dragers door om het even welke actieve gebieden van de wachtstructuur of door de fotodiodepixel.

 
Web www.patentalert.com

< Photoconductor-on-active-pixel (POAP) sensor utilizing a multi-layered radiation absorbing structure

< Hetero-junction bipolar transistor and a method for manufacturing the same

> Triple gate device having strained-silicon channel

> Bonding pad for low k dielectric

~ 00134