A semiconductor radiation imaging assembly comprises a semiconductor
imaging device including at least one image element detector. The imaging
device is arranged to receive a bias for forming the at least one image
element detector. The assembly also includes bias monitoring means for
monitoring the bias for determining radiation incident on the image
element detector. Preferably, the imaging device comprises a plurality of
image element detectors the bias for at least some of which is monitored
for determining incident radiation. More preferably, the bias for all the
detector elements is monitored.
Une formation image de rayonnement de semi-conducteur comporte un dispositif de formation image de semi-conducteur comprenant au moins un détecteur d'élément d'image. Le dispositif de formation image est arrangé pour recevoir une polarisation pour former l'au moins un détecteur d'élément d'image. L'assemblée inclut également surveiller de biais des moyens de surveiller la polarisation pour déterminer l'incident de rayonnement sur le détecteur d'élément d'image. De préférence, le dispositif de formation image comporte une pluralité des détecteurs d'élément d'image la polarisation pour au moins une partie de laquelle est surveillé pour déterminer le rayonnement d'incident. Mieux, la polarisation pour tous les éléments de détecteur est surveillée.
