Laser apparatus including surface-emitting semiconductor excited with semiconductor laser element, and directly modulated

   
   

A laser apparatus includes a semiconductor laser element, a surface-emitting semiconductor element including a first mirror, a second mirror, and a modulation unit. The semiconductor laser element emits first laser light having a first wavelength. The surface-emitting semiconductor element is excited with the first laser light, emits second laser light having a second wavelength which is longer than the first wavelength. The first mirror in the surface-emitting semiconductor element is arranged on one side of the first active layer. The second mirror is arranged outside the surface-emitting semiconductor element so that the first and second mirrors form a resonator in which the second laser light resonates. The modulation unit modulates the surface-emitting semiconductor element.

Прибор лазера вклюает элемент лазера полупроводника, поверхност-ispuska4 элемент полупроводника включая первое зеркало, второе зеркало, и блок модуляции. Элемент лазера полупроводника испускает первый свет лазера имея первую длину волны. Поверхност-ispuska4 элемент полупроводника возбужен с первым светом лазера, испускает второй свет лазера имея вторую длину волны более длинне чем первая длина волны. Первое зеркало в поверхност-ispuska4 элементе полупроводника аранжировано на одной стороне первого активно слоя. Второе зеркало будет аранжированным снаружи поверхност-ispuska4 элемент полупроводника так, что первые и вторые зеркала сформируют резонатор в второй свет лазера resonates. Блок модуляции модулирует поверхност-ispuska4 элемент полупроводника.

 
Web www.patentalert.com

< High-speed laser driver including wave-shaping circuits

< Gas laser device

> Semiconductor laser device containing controlled interface oxygen at both end facets

> Semiconductor laser and semiconductor laser module

~ 00134