A semiconductor laser performs high-speed modulation with a low-capacitance
structure. The laser comprises a multilayered growth layer which is
electrically isolated from a substrate and includes an active layer
between a lower semiconductor layer of first conductivity type and an
upper semiconductor layer of second conductivity type. A ridge is formed
on the surface of the multilayer without reaching the active layer, and an
insulating film is formed on the substrate main surface except for the
ridge upper surface. An electrode contacts the second conductivity type
semiconductor layer on the ridge upper surface and extends onto the
insulating film beyond a second isolation trench, and an electrode which
deviates from above the ridge is formed on the insulating film on a first
isolation trench side and contacts the first conductivity type
semiconductor layer located below the active layer.
Un laser a semiconduttore effettua la modulazione ad alta velocità con una struttura di basso-capacità. Il laser contiene uno strato multilayered di sviluppo che è isolato elettricamente da un substrato ed include uno strato attivo fra uno strato più basso a semiconduttore del primo tipo di conducibilità e uno strato superiore a semiconduttore del secondo tipo di conducibilità. Una cresta è formata sulla superficie dell'a più strati senza raggiungere lo strato attivo e una pellicola isolante è formata sulla superficie principale del substrato tranne la superficie superiore della cresta. Un elettrodo si mette in contatto con il secondo tipo strato di conducibilità a semiconduttore sulla superficie superiore della cresta e si estende sulla pellicola isolante oltre una seconda trincea di isolamento e un elettrodo che devia sopra dalla cresta è formato sulla pellicola isolante da un primo lato della trincea di isolamento e si mette in contatto con il primo tipo strato di conducibilità a semiconduttore situato sotto lo strato attivo.
