Thin film magnetic memory device capable of conducting stable data read and write operations

   
   

A tunnel magnetic resistive element forming a magnetic memory cell includes a fixed magnetic layer having a fixed magnetic field of a fixed direction, a free magnetic layer magnetized by an applied magnetic field, and a tunnel barrier that is an insulator film provided between the fixed and free magnetic layers in a tunnel junction region. In the free magnetic layer, a region corresponding to an easy axis region having characteristics desirable as a memory cell is used as the tunnel junction region. A hard axis region having characteristics undesirable as a memory cell is not used as a portion of the tunnel magnetic resistive element.

Элемент тоннеля магнитный сопротивляющий формируя магнитный ячейкы памяти вклюает фикчированный магнитный слой имея фикчированное магнитное поле фикчированного направления, свободно магнитный слой намагниченный applied магнитным полем, и барьер тоннеля который будет пленка изолятора обеспеченная между фикчированными и свободно магнитными слоями в зоне соединения тоннеля. В свободно магнитном слое, зона соответствуя к легкой зоне оси имея характеристики желательные как ячейкы памяти использована как зона соединения тоннеля. Трудная зона оси имея характеристики нежелательные как ячейкы памяти не использована как часть элемента тоннеля магнитного сопротивляющего.

 
Web www.patentalert.com

< Three terminal magnetic random access memory

< Stacked columnar 1T-nMTJ MRAM structure and its method of formation and operation

> MRAM having memory cell array in which cross-point memory cells are arranged by hierarchical bit line scheme and data read method thereof

> Magnetoresistance effect device, magnetic head therewith, magnetic recording/reproducing head, and magnetic storing apparatus

~ 00131