A LED stacking manufacturing method and its structure thereof, mainly uses
a stacking method to integrate the epitaxial layer and the
high-thermal-conductive substrate by twice bonding process, and the
converted epitaxial layer of the temporary bonded substrate replaces the
epitaxial wafer growth substrate, and the second bonded layer of the etch
stop layer of the epitaxial layer is bonded with the second bonded layer
of the high-thermal-conductive substrate to form an alloy layer with
permanent connection, and then the temporary bonded substrate is removed,
such that the process completes the integration of the epitaxial layer and
the high-thermal-conductive substrate and makes the ohmic contact layer to
face upward to provide a better reliability and efficiency of optical
output of the LED.
Un método de fabricación del LED que apila y su estructura de eso, principalmente las aplicaciones un método que apila de integrar la capa epitaxial y el substrato alto-termal-conductor por proceso dos veces que enlaza, y la capa epitaxial convertida del substrato consolidado temporal substituye el substrato epitaxial del crecimiento de la oblea, y la segunda capa consolidada de la capa de la parada del grabado de pistas de la capa epitaxial se enlaza con la segunda capa enlazada del substrato alto-termal-conductor para formar una capa de la aleación con la conexión permanente, y entonces el substrato consolidado temporal se quita, tales que el proceso termina la integración de la capa epitaxial y del substrato alto-termal-conductor y hace la capa óhmica del contacto para hacer frente hacia arriba para proporcionar mejores una confiabilidad y una eficacia de la salida óptica del LED.
