Thin film magnetic memory device reducing a charging time of a data line in a data read operation

   
   

During data reading, a sense enable signal is activated to start charging of a data line prior to formation of a current path including the data line and a selected memory cell in accordance with row and column selecting operations. Charging of the data line is completed early so that it is possible to reduce a time required from start of the data reading to such a state that a passing current difference between the data lines reaches a level corresponding to storage data of the selected memory cell, and the data reading can be performed fast.

Tijdens gegevenslezing, laat een betekenis signaal toe wordt geactiveerd om het laden van een gegevenslijn voorafgaand aan vorming van een huidige weg met inbegrip van de gegevenslijn en een geselecteerde geheugencel overeenkomstig rij en kolom te beginnen die verrichtingen selecteert. Het laden van de gegevenslijn wordt vroeg voltooid zodat het mogelijk is om een tijd te verminderen die van begin van de gegevens wordt vereist lezend aan een dergelijke staat dat een voorbijgaand huidig verschil tussen de gegevenslijnen een niveau bereikt dat aan opslaggegevens beantwoordt van de geselecteerde geheugencel, en de gegevenslezing kan snel worden uitgevoerd.

 
Web www.patentalert.com

< Memory storage device with heating element

< MRAM MTJ stack to conductive line alignment method

> Systems and methods for limiting access to imaging device consumable components

> Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

~ 00130