A memory storage device is provided that includes a storage cell having a
changeable magnetic region. The changeable magnetic region includes a
material having a magnetization state that is responsive to a change in
temperature. The memory storage device also includes a heating element.
The heating element is proximate to the storage cell for selectively
changing the temperature of the changeable magnetic region of said storage
cell. By heating the storage cell via the heating element, as opposed to
heating the storage cell by directly applying current thereto, more
flexibility is provided in the manufacture of the storage cells.
Un dispositivo di memorizzazione di memoria è a condizione che include una cellula di immagazzinaggio che ha una regione magnetica variabile. La regione magnetica variabile include un materiale che ha una magnetizzazione dichiara che è sensible a reagire ad un cambiamento nella temperatura. Il dispositivo di memorizzazione di memoria inoltre include un elemento riscaldante. L'elemento riscaldante è prossimo alla cellula di immagazzinaggio per selettivamente cambiare la temperatura della regione magnetica variabile della cellula detta di immagazzinaggio. Riscaldando la cellula di immagazzinaggio via l'elemento riscaldante, in contrasto con il riscaldamento della cellula di immagazzinaggio direttamente applicando la corrente a ciò, più flessibilità è fornita nella fabbricazione delle cellule di immagazzinaggio.
