A method for fabrication of defect-free epitaxial layers on top of a
surface of a first defect-containing solid state material includes the
steps of selective deposition of a second material, having a high
temperature stability, on defect-free regions of the first solid state
material, followed by subsequent evaporation of the regions in the
vicinity of the defects, and subsequent overgrowth by a third material
forming a defect-free layer.
Eine Methode für Herstellung der fehlerfreien Epitaxial- Schichten auf eine Oberfläche eines ersten Defekt-enthaltenen Festkörpermaterials schließt die Schritte der vorgewählten Absetzung eines zweiten Materials ein und hat eine Hochtemperaturstabilität, auf den fehlerfreien Regionen des ersten Festkörpermaterials, gefolgt von der folgenden Verdampfung der Regionen in der Nähe der Defekte und in der folgenden Überwuchterung durch ein drittes Material, das eine fehlerfreie Schicht bildet.
