Semiconductor device

   
   

A semiconductor device equipped with a buried type capacitor directly buried inside a semiconductor substrate, wherein three-dimensional cavities 11 each having an aperture on the front side of the flat semiconductor substrate 10 are formed aligned with each other on the substrate 10, a capacitor part A is provided by implementing a capacitor structure of a substrate-buried type inside the cavity 11, and semiconductor base bodies 101 including capacitor parts A, is provided.

Un dispositif de semi-conducteur équipé d'un type enterré condensateur directement enterré à l'intérieur d'un substrat de semi-conducteur, où les cavités tridimensionnelles 11 ayant une ouverture sur la face frontale du substrat plat 10 de semi-conducteur sont formées a aligné avec l'un l'autre sur le substrat 10, une partie A de condensateur est fourni en mettant en application une structure de condensateur d'un type substrat-enterré à l'intérieur de la cavité 11, et les corps bas 101 de semi-conducteur comprenant le condensateur partie A, est fournis.

 
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< Semiconductor device and method of manufacturing substrate

< Low leakage schottky diode

> Semiconductor devices constitute constant voltage devices used to raise internal voltage

> Active type solid-state imaging device with reduced pixel leak current

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