Active type solid-state imaging device with reduced pixel leak current

   
   

An active type solid-state imaging device of the present invention includes: a plurality of pixels arranged in an array; a plurality of signal lines wherein each of the pixels is connected to one of the signal lines; a first power source; and a second power source having a lower voltage than that of the first power source. Each of the pixels includes: a photoelectric conversion section; a first, depletion type MOS transistor; a second, reset MOS transistor for resetting a signal charge which has been stored in the photoelectric conversion section; and a third, pixel selection MOS transistor serially connected to the first MOS transistor to form a transistor pair. One end of the transistor pair is connected to one of the signal lines and the other end thereof is connected to the first power source. One end of the second MOS transistor is connected to the photoelectric conversion section and the other end thereof is connected to the second power source.

Un tipo activo dispositivo de estado sólido de la proyección de imagen de la actual invención incluye: una pluralidad de pixeles arregló en un arsenal; una pluralidad de líneas de señales en donde cada uno de los pixeles está conectado con una de las líneas de señales; una primera fuente de energía; y una segunda fuente de energía que tiene una tensión más baja que el de la primera fuente de energía. Cada uno de los pixeles incluye: una sección fotoeléctrica de la conversión; un primer, tipo de agotamiento transistor del MOS; un segundo, transistor reajustado del MOS para reajustar una carga de la señal que se ha almacenado en la sección fotoeléctrica de la conversión; y un tercero, transistor del MOS de la selección del pixel conectado en serie con el primer transistor del MOS para formar un par del transistor. Un final del par del transistor está conectado con una de las líneas de señales y el otro extremo de eso está conectado con la primera fuente de energía. Un extremo del segundo transistor del MOS está conectado con la sección fotoeléctrica de la conversión y el otro extremo de eso está conectado con la segunda fuente de energía.

 
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