A wafer (10) having integrated circuit elements formed therein is thinned
and a first carrier (41) is adhered thereto. The first carrier (41)
facilitates handling of the thinned wafer (30). A second carrier (51) is
then adhered as well and the various integrated circuits are singulated to
yield a plurality of thinned die (81). Once the thinned die is mounted to
a desired substrate (91), the first carrier (41) is readily removed. In
one embodiment, the first carrier (41) has an adhesive that becomes less
adherent when exposed to a predetermined stimulus (such as a given
temperature range or a given frequency range of photonic energy). Such
thinned die (or modules containing such die) are readily amenable to
stacking in order to achieve significantly increased circuit densities.
Um wafer (10) que tem elementos do circuito integrado dados forma nisso é diluído e um primeiro portador (41) é aderido a isso. O primeiro portador (41) facilita a manipulação do wafer diluído (30). Um segundo portador (51) é aderido então também e os vários circuitos integrados são singulated para render um plurality do dado diluído (81). O dado diluído é montado uma vez a uma carcaça desejada (91), o primeiro portador que (41) são removidos prontamente. Em uma incorporação, o primeiro portador (41) tem um adesivo que se torne mais menos adherent quando exposto a um stimulus predeterminado (tal como uma escala de temperatura dada ou uma escala de freqüência dada da energia photonic). Tais dado diluído (ou módulos que contêm tal dado) são prontamente amenable ao empilhamento a fim conseguir densidades significativamente aumentadas do circuito.
