The present invention relates to a test structure which is formed on a
reticle simultaneously with a pattern that will be used to build an
integrated circuit device. The test structure comprises a large
rectangular end and several rectangular shapes that extend from one side
of the rectangular end in a parallel array. The width of the rectangular
shape extensions is equal to the spacing between them and is the same as
the width of the minimum feature size in the lithographic process to be
monitored. A CD SEM is used to measure the edge width of the convex and
concave sections of the structure as printed in photoresist at various
focus settings and a plot of edge width vs. focus setting is generated.
The intersection of the lines representing the convex section and concave
section measurements indicates the best focus setting for the lithographic
process.
Присытствыющий вымысел относит к структуре испытания сформирована на перекрещении одновременно с картиной будет использована для того чтобы построить приспособление интегрированной цепи. Структура испытания состоит из большого прямоугольного конца и нескольких прямоугольных форм удлиняют от одной стороны прямоугольного конца в параллельном блоке. Ширина прямоугольных выдвижений формы равна к дистанционированию между ими и этим же ширина минимального размера характеристики в литографском процессе, котор нужно контролировать. CD SEM использовано для того чтобы измерить ширину края выпуклых и вогнутых разделов структуры как напечатано в фоторезисте на различных установках фокуса и графике ширины края против установки фокуса производит. Пересечение линий представляя выпуклый раздел и вогнутые измерения раздела показывает самый лучший фокус устанавливая для литографского процесса.
