A semiconductor structure (and method for forming) having transistors
having both metal gates and polysilicon gates on a single substrate in a
single process is disclosed. The method forms a gate dielectric layer on
the substrate and forms the metal seed layer on the gate oxide layer. The
method patterns the metal seed layer to leave metal seed material in metal
gate seed areas above the substrate. Next, the method patterns a
polysilicon layer into polysilicon structures above the substrate. Some of
the polysilicon structures comprise sacrificial polysilicon structures on
the metal gate seed areas and the remaining ones of the polysilicon
structures comprise the polysilicon gates. The patterning of the
polysilicon gates forms the sacrificial gates above all the metal gate
seed areas. Following that, the invention forms sidewall spacers, and
source and drain regions adjacent the polysilicon structures. Then, the
invention protects the polysilicon gates, removes the sacrificial
polysilicon structures, and plates the metal gate seed areas to form the
metal gates. The sidewall spacers self-align the metal gates. The plating
process forms the metal gates of pure metal. All thermal processing that
raises the temperature above a damage threshold for the metal is performed
before the plating process.
Una struttura a semiconduttore (e metodo per formare) che hanno transistori avere sia i cancelli del metallo che cancelli del polysilicon su un singolo substrato in un singolo processo è rilevata. Il metodo forma uno strato dielettrico del cancello sul substrato e forma lo strato del seme del metallo sullo strato dell'ossido del cancello. Il metodo ha modellato lo strato del seme del metallo per lasciare il materiale del seme del metallo nelle zone del seme del cancello del metallo sopra il substrato. Dopo, il metodo ha modellato uno strato del polysilicon nelle strutture del polysilicon sopra il substrato. Alcune delle strutture del polysilicon contengono le strutture sacrificial del polysilicon sulle zone del seme del cancello del metallo e quelle restanti delle strutture del polysilicon contengono i cancelli del polysilicon. Il modello del polysilicon gates le forme i cancelli sacrificial soprattutto le zone del seme del cancello del metallo. Seguendo quello, l'invenzione forma i distanziatori del muro laterale e le regioni dello scolo e di fonte adiacenti le strutture del polysilicon. Allora, l'invenzione protegge i cancelli del polysilicon, rimuove le strutture sacrificial del polysilicon e placca le zone del seme del cancello del metallo per formare i cancelli del metallo. I distanziatori del muro laterale auto-allineano i cancelli del metallo. Il processo di placcatura forma i cancelli del metallo di metallo puro. Tutta la elaborazione del thermal che solleva la temperatura sopra una soglia di danni per il metallo è realizzata prima del processo di placcatura.
