Metal line, method for fabricating the metal line, thin film transistor employing the metal line and display device

   
   

There is provided is a metal line structure in which no defect of blistering occurs on a surface of a Cu/Ni film or a Cu/Au/Ni film even if an Ni plating thickness is reduced. According to this metal line 1, in a Cu/Au/Ni film structure in which an Au film 13 and a Cu film 15 are successively laminated by electroless plating on an Ni film 12 formed by electroless plating, the Ni film 12 has a phosphorus content x of 10 wt %.ltoreq.x.ltoreq.15 wt %. It was discovered through experiments that the so-called high phosphorus content type Ni film 12 having a phosphorus content x of 10 to 15 percent by weight became a fine smooth film under a condition of a film thickness of 0.1 .mu.m or greater.

É fornecido está uma linha estrutura do metal em que nenhum defeito de empolar ocorre em uma superfície de uma película de Cu/Ni ou de uma película de Cu/Au/Ni mesmo se uma espessura do chapeamento do Ni é reduzida. Concordar a esta linha 1 do metal, em uma estrutura da película de Cu/Au/Ni em que uma película 13 do au e uma película 15 do cu são laminadas sucessivamente pelo chapeamento electroless em uma película 12 do Ni dada forma pelo chapeamento electroless, a película 12 do Ni tem um índice x do phosphorus 10 do peso % do peso %.ltoreq.x.ltoreq.15. que se descobriu com as experiências que o tipo elevado so-called película 12 do índice do phosphorus do Ni que tem um índice x do phosphorus de 10 a 15 por cento pelo peso se tornou uma película lisa fina sob uma condição de uma espessura de película de 0.1 mu.m ou mais grande.

 
Web www.patentalert.com

< Microporous glass waveguides doped with selected materials

< Electron amplifier utilizing carbon nanotubes and method of manufacturing the same

> Electroluminescent device and oxide phosphor for use therein

> Process for the coating of passivated metallic surfaces of components and such coated components

~ 00122