A semi-physical device model for HEMTs that can represent known physical
device characteristics and measured high frequency small signal
characteristics relatively accurately. The semi-physical device model in
accordance with the present invention uses analytical expressions to model
the fundamental electric charge and field structure of a HEMT internal
structure. These expressions are based on the device physics but are in
empirical form. In this way, the model is able to maintain physical
dependency with good fidelity while retaining accurate measured-to-modeled
DC and small signal characteristics. The model in accordance with the
present invention provides model elements for a standard small signal
equivalent circuit model of FET. The model elements are derived from small
signal excitation analysis of intrinsic charge and electric field as
modeled within the device by the semi-physical HEMT model. As such, the RF
performance can be predicted at arbitrary bias points.
Un modello semi-fisico del dispositivo per i hEMTs che possono rappresentare relativamente esattamente le caratteristiche fisiche conosciute del dispositivo e le piccole caratteristiche ad alta frequenza misurate del segnale. Il modello semi-fisico del dispositivo secondo la presente invenzione usa le espressioni analitiche per modellare la struttura fondamentale del campo e della carica elettrica di una struttura interna del HEMT. Queste espressioni sono basate sulla fisica del dispositivo ma sono nella forma empirica. In questo modo, il modello può effettuare la dipendenza fisica con la buona fedeltà mentre mantiene la CC misur-$$$-MODELLISTICA esatta e le piccole caratteristiche del segnale. Il modello secondo la presente invenzione fornisce gli elementi di modello per un piccolo modello standard del circuito equivalente del segnale del FET. Gli elementi di modello sono derivati da piccola analisi di eccitazione di segnale della carica intrinseca e del campo elettrico come modellistici all'interno del dispositivo dal modello semi-fisico del HEMT. Come tali, le prestazioni di rf possono essere previste ai punti diagonali arbitrari.
