A system for monitoring a fabrication process is provided. The system
includes one or more light sources, each light source directing light to
one or more gratings on a wafer. Light reflected from the gratings is
collected by a measuring system that processes the collected light. The
collected light is indicative of distortion due to stress at respective
portions of the wafer. The measuring system provides distortion/stress
related data to a processor that determines the acceptability of the
distortion of the respective portions of the wafer. The collected light
may be analyzed by scatterometry systems to produce scatterometry
signatures associated with distortion and to produce feed-forward control
information that can be employed to control semiconductor fabrication
processes.
Un sistema para supervisar un proceso de la fabricación se proporciona. El sistema incluye unas o más fuentes de luz, cada fuente de luz que dirige la luz a unas o más rejillas en una oblea. La luz reflejada de las rejillas es recogida por un sistema que mide que procese la luz recogida. La luz recogida es indicativa de la distorsión debido a la tensión en las porciones respectivas de la oblea. El sistema que mide proporciona datos relacionados distortion/stress a un procesador que determine la aceptabilidad de la distorsión de las porciones respectivas de la oblea. La luz recogida se puede analizar por los sistemas scatterometry para producir las firmas scatterometry asociadas a la distorsión y para producir la información de control alimentar-delantera que se puede emplear para controlar procesos de la fabricación del semiconductor.
