A method and apparatus for temperature compensation of a resistive based
Read-Only Memory device is disclosed. In accordance with the method of the
invention, the input voltage supplied to ROM device is adjusted in
response to changes in temperature to maintain the current through the ROM
at a substantially constant level even as the resistivity of the
temperature-dependent connection resistors changes. In one embodiment of
the invention, the voltage across the reference resistor is determined by
providing a constant current source to the reference resistor and this
voltage level is applied to the input of the ROM device. The reference
resistor is selected to have similar properties of conductivity as those
of the data resistor, for example, a polysilicon. As the temperature
increases, the resistivity of a polysilicon data resistor and resistor
decrease in a similar manner and, accordingly, the voltage across the
reference resistor also decreases. The voltage across the reference
resistor decreases at a rate commensurate with a decreased voltage drop
across the data resistor, thus maintaining the current through a selected
data resistor constant.
Un método y un aparato para la remuneración de la temperatura de un dispositivo de memoria read-Only basado resistente se divulga. De acuerdo con el método de la invención, el voltaje de entrada provisto al dispositivo de ROM se ajusta en respuesta a cambios en temperatura para mantener la corriente a través de la ROM en un uniforme llano substancialmente constante mientras que la resistencia de los resistores temperatura-dependientes de la conexión cambia. En una encarnación de la invención, el voltaje a través del resistor de la referencia es determinado proporcionando una fuente actual constante al resistor de la referencia y este nivel voltaico se aplica a la entrada del dispositivo de ROM. El resistor de la referencia se selecciona para tener características similares de la conductividad como las del resistor de los datos, por ejemplo, un polysilicon. Mientras que la temperatura aumenta, la resistencia de un resistor de los datos del polysilicon y el resistor disminuyen de una manera similar y, por consiguiente, el voltaje a través del resistor de la referencia también disminuye. El voltaje a través del resistor de la referencia disminuye en una tarifa comensurada con una caída de voltaje disminuida a través del resistor de los datos, así manteniendo la corriente con una constante seleccionada del resistor de los datos.
