Semiconductor device

   
   

Provided is a semiconductor device using an SOI substrate which can suppress a leakage current with the potential of a channel formation region fixed. Specifically, by an FTI (26) an SOI substrate (14) is divided into a PMOS formation region and an NMOS formation region. The FTI (26) extends from the upper surface of a silicon layer (17) to the upper surface of a BOX layer (16). A body contact region (9) is selectively formed in an upper surface of the silicon substrate (14). The body contact region (9) and a channel formation region (4p) are isolated from each other, by a PTI (31). An N.sup.+ type channel stopper layer (30) is formed in the portion of the silicon layer (14) which is sandwiched between the bottom surface of the PTI (31) and the upper surface of the BOX layer (16). The body contact region (9) and the channel formation region (4p) are electrically connected to each other, through the channel stopper layer (30).

При условии прибора на полупроводниках использующ субстрат SOI может подавить течение утечки с потенциалом зафиксированной зоны образования канала. Специфически, FTI (26) субстрат SOI (14) разделен в зону образования pmos и зону образования nmos. FTI (26) удлиняет от верхней поверхности слоя кремния (1ъ) к верхней поверхности слоя КОРОБКИ (16). Зона контакта тела (9) селективно сформирована в верхней поверхности субстрата кремния (14). Зона контакта тела (9) и зона образования канала (4p) изолированы от себя, PTI (31). Слой затвора канала типа N.sup.+ (30) сформирован в части слоя кремния (14) прослоен между нижней поверхностью PTI (31) и верхней поверхностью слоя КОРОБКИ (16). Зона контакта тела (9) и зона образования канала (4p) электрически подключены to each other, через слой затвора канала (30).

 
Web www.patentalert.com

< Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods

< Method and apparatus for temperature compensation of read-only memory

> Thin gallium-arsenide-antimonide base heterojunction bipolar transistor (HBT) having improved gain

> Thermoelectric element

~ 00120