Method for growing continuous carbon fiber and compositions thereof

   
   

This invention relates generally to a method for growing carbon fiber from single-wall carbon nanotube (SWNT) molecular arrays. The carbon fiber which comprises an aggregation of substantially parallel carbon nanotubes may be produced by growth (elongation) of a suitable seed molecular array. The first step is to open the growth end of the SWNTs in the molecular array. Next, a transition metal catalyst is added to the open-ended seed array. In the next step, the SWNT molecular array with catalyst deposited on the open tube ends is subjected to tube growth (extension) conditions. The carbon supply necessary to grow the SWNT molecular array into a continuous fiber is supplied to the SWNT molecular array tip heated to a temperature sufficient to cause growth to any desired length. The continuous carbon fiber can also be grown from more than one separately prepared molecular arrays or templates.

Этот вымысел относит вообще к методу для расти волокно углерода от одностеночных блоков nanotube углерода (SWNT) молекулярных. Волокно углерода состоит из комплексирования существенн параллельных nanotubes углерода может быть произведено ростом (удлиненностью) блока целесообразного семени молекулярного. Первыйа шаг должен раскрыть конец роста SWNTs в молекулярном блоке. Затем, катализатор металла перехода добавлен к беступиковому блоку семени. В следующем шаге, блок SWNT молекулярный при катализатор депозированный на открытых концах пробки подвергается к условиям роста пробки (выдвижения). Поставка углерода обязательно для того чтобы вырасти блок SWNT молекулярный в непрерывное волокно поставлена к концу блока SWNT молекулярному нагретому к температуре достаточно для того чтобы причинить рост к любой заданной длине. Непрерывное волокно углерода можно также вырасти от больше отдельно подготовленных молекулярных блоков чем одного или шаблонов.

 
Web www.patentalert.com

< 3D structural siliceous color pigments

< Ion irradiation of a target at very high and very low kinetic ion energies

> Method of fabricating vertical integrated circuits

> Method for fabricating n-type carbon nanotube device

~ 00118