A method and apparatus for inspecting a photolithography mask for defects
is provided. The inspection method comprises providing a defect area image
to an image simulator wherein the defect area image is an image of a
portion of a photolithography mask, and providing a set of lithography
parameters as a second input to the image simulator. The defect area image
may be provided by an inspection tool which scans the photolithography
mask for defects using a high resolution microscope and captures images of
areas of the mask around identified potential defects. The image simulator
generates a first simulated image in response to the defect area image and
the set of lithography parameters. The first simulated image is a
simulation of an image which would be printed on a wafer if the wafer were
to be exposed to an illumination source directed through the portion of
the mask. The method may also include providing a second simulated image
which is a simulation of the wafer print of the portion of the design mask
which corresponds to the portion represented by the defect area image. The
method also provides for the comparison of the first and second simulated
images in order to determine the printability of any identified potential
defects on the photolithography mask. A method of determining the process
window effect of any identified potential defects is also provided for.
Um método e um instrumento para inspecionar uma máscara do photolithography para defeitos são fornecidos. O método da inspeção compreende fornecer uma imagem da área do defeito a um simulador da imagem wherein a imagem da área do defeito é uma imagem de uma parcela de uma máscara do photolithography, e fornecer um jogo de parâmetros do lithography como uma segunda entrada ao simulador da imagem. A imagem da área do defeito pode ser fornecida por uma ferramenta da inspeção que faça a varredura da máscara do photolithography para defeitos usando um microscópio de alta resolução e capture imagens das áreas da máscara em torno dos defeitos potenciais identificados. O simulador da imagem gera uma primeira imagem simulada em resposta à imagem da área do defeito e ao jogo de parâmetros do lithography. A primeira imagem simulada é uma simulação de uma imagem que seja imprimida em um wafer se o wafer devesse ser exposto a uma fonte da iluminação dirigida através da parcela da máscara. O método pode também incluir fornecer uma segunda imagem simulada que seja uma simulação da cópia do wafer da parcela da máscara do projeto que corresponde à parcela representada pela imagem da área do defeito. O método fornece também para a comparação das primeiras e segundas imagens simuladas a fim determinar o printability de todos os defeitos potenciais identificados na máscara do photolithography. Um método de determinar o efeito process da janela de todos os defeitos potenciais identificados é fornecido também para.
