Semiconductor device

   
   

When a digital video signal inputted to a latch circuit is Hi electric potential, undesirably a current flows continuously for one horizontal period at maximum, and this causes a great increase in power consumption of a semiconductor device. Therefore an object of the present invention is to provide a display device in which power consumption can be reduced by minimizing occurrence of the current path during the circuit operation, as well as a driving method. The present invention provides a semiconductor device in which two outputs, a non-inverted output and an inverted output, are obtained when a digital video signal is inputted and therefore occurrence of the current path can be minimized in a downstream buffer driven by these signals. Furthermore, a semiconductor device with reduced power consumption is provided by using the structure described above.

Quand un signal visuel numérique entré dans un circuit de verrou est bonjour potentiel électrique, regrettablement les écoulements d'un courant sans interruption pendant une période horizontale au maximum, et ceci cause une grande augmentation de puissance d'énergie d'un dispositif de semi-conducteur. Par conséquent un objet de la présente invention est de fournir un dispositif d'affichage en lequel la puissance d'énergie peut être réduite en réduisant au minimum l'occurrence du chemin courant pendant l'opération de circuit, aussi bien qu'une méthode de conduite. La présente invention fournit un dispositif de semi-conducteur en lequel deux sorties, un résultat non-inversé et un résultat inversé, sont obtenues quand un signal visuel numérique est entré et donc l'occurrence du chemin courant peut être réduite au minimum dans un amortisseur descendant conduit par ces signaux. En outre, un dispositif de semi-conducteur avec la puissance d'énergie réduite est fourni en employant la structure décrite ci-dessus.

 
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< Optical waveguide module

< Fringe pattern discriminator for grazing incidence interferometer

> Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same

> System for selecting an appropriate optical fiber type for a communication network

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