A novel photodetector CMOS-compatible photodetector is disclosed in which
photo-generation of carriers (electrons) is carried out in the metal of
the electrodes, rather than as electron-hole pairs in the semiconductor on
which the metal electrodes are deposited. The novel photo detector
comprises a silicon or other semiconductor substrate material
characterized by an electron energy bandgap, and a pair of metal
electrodes disposed upon a surface of the silicon to define therebetween a
border area of the surface. One of the two electrodes being exposed to the
incident radiation and covering an area of said surface which is larger
than the aforesaid border area, the aforesaid metal of the electrodes
being characterized by a Fermi level which is within said electron energy
bandgap.
Un rivelatore fotoelettrico del rivelatore fotoelettrico CMOS-compatible del romanzo è rilevato in cui la foto-generazione degli elementi portanti (elettroni) è effettuata nel metallo degli elettrodi, piuttosto che come accoppiamenti del elettrone-foro nel semiconduttore su cui gli elettrodi del metallo sono depositati. Il rivelatore della foto del romanzo contiene un silicone o l'altro materiale del substrato a semiconduttore caratterizzato da un bandgap di energia dell'elettrone e un accoppiamento degli elettrodi del metallo disposti di su una superficie del silicone definire therebetween una zona di frontiera della superficie. Uno dei due elettrodi che sono esposti alla radiazione di avvenimento e riguardando una zona di superficie detta che è più grande della zona di frontiera suddetta, il metallo suddetto degli elettrodi che sono caratterizzati da un livello del Fermi che è all'interno del bandgap detto di energia dell'elettrone.
