An emitter has an electron supply layer and a silicon-based dielectric
layer formed on the electron supply layer. The silicon-based dielectric
layer is preferably less than about 500 Angstroms. Optionally, an
insulator layer is formed on the electron supply layer and has openings
defined within which the silicon-based dielectric layer is formed. A
cathode layer is formed on the silicon-based dielectric layer to provide a
surface for energy emissions of electrons and/or photons. Preferably, the
emitter is subjected to an annealing process thereby increasing the supply
of electrons tunneled from the electron supply layer to the cathode layer.
Un emisor tiene una capa de la fuente del electrón y una capa dieléctrica silicio-basada formadas en la capa de la fuente del electrón. La capa dieléctrica silicio-basada es preferiblemente menos que cerca de 500 angstromes. Opcionalmente, una capa del aislador se forma en la capa de la fuente del electrón y tiene aberturas definidas dentro de las cuales se forme la capa dieléctrica silicio-basada. Una capa del cátodo se forma en la capa dieléctrica silicio-basada para proporcionar una superficie para las emisiones de la energía de electrones y/o de fotones. Preferiblemente, el emisor se sujeta a un proceso del recocido de tal modo que aumenta la fuente de electrones tunneled de la capa de la fuente del electrón a la capa del cátodo.
