AP-pinned spin valve design using very thin Pt-Mn AFM layer

   
   

An antiparallel (AP)-pinned spin valve (SV) sensor is provided with an AFM layer of Pt--Mn having a thickness less than 100 .ANG. and using the magnetic field of the sense current to assist the AFM layer in pinning the magnetization of the AP-pinned layer. The SV sensor has positive and negative read signal symmetry about a zero bias point of a transfer curve due to the influences of the a net sense current field, a ferromagnetic coupling field and a demagnetization field being counterbalanced by a net image field from asymmetric positioning of the SV sensor between first and second shield layers. The SV sensor includes an AP-pinned layer with first and second ferromagnetic pinned layers where the second pinned layer adjacent to a spacer layer is thicker than the first pinned layer. The direction of the sense current is chosen so that its magnetic field at the pinned layer is in the same direction as the magnetization of the thicker second pinned layer so as to assist in pinning of the AP-pinned layer to provide stable operation of the SV sensor.

Un antiparallel (el sensor AP)-fijado de la válvula de la vuelta (SV) se proporciona una capa del AFM de la pinta -- manganeso que tiene un ANG. de 100 del grueso menos y que usa el campo magnético de la corriente del sentido para asistir a la capa del AFM en la fijación de la magnetización de la capa AP-fijada. El sensor de SV hace que el positivo y la negativa lean simetría de la señal alrededor de un punto diagonal cero de una curva de la transferencia debido a las influencias de un campo actual del sentido neto, de un campo ferromagnético del acoplador y de un campo de la desimantación que es contrapesado por un campo neto de la imagen de la colocación asimétrica del sensor de SV en medio primero y de las segundas capas del protector. El sensor de SV incluye una capa AP-fijada con las capas fijadas primero y en segundo lugar ferromagnéticas donde está más gruesa la segunda capa fijada adyacente a una capa del espaciador que la primera capa fijada. La dirección de la corriente del sentido se elige de modo que su campo magnético en la capa fijada esté en la misma dirección a que la magnetización del segunda más grueso fijó capa para asistir a la fijación de la capa AP-fijada para proporcionar la operación estable del sensor de SV.

 
Web www.patentalert.com

< Structures and materials to stabilize active layers in VGMR head using AFM transverse bias

< Spin valve/GMR sensor using synthetic antiferromagnetic layer pinned by Mn-alloy having a high blocking temperature

> High bandwidth low noise cross-coupled amplifier

> Boost system and method to facilitate driving a load

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