Disclosed are a spin valve magnetoresistive sensor and methods of
fabricating the same. The sensor includes a free layer, a synthetic
antiferromagnetic. (SAF) layer, a spacer layer positioned between the free
layer and the SAF layer, and a Mn-based antiferromagnetic pinning layer in
contact with the SAF layer. The SAF layer includes first and second
ferromagnetic CoFe layers and an Ru spacer layer positioned between and
directly in contact with the first and second CoFe ferromagnetic layers.
Onthuld worden een magnetoresistive sensor van de rotatieklep en de methodes om het zelfde te vervaardigen. De sensor omvat een vrije laag, synthetische antiferromagnetic. (Saf) laag, een verbindingsstuklaag die tussen de vrije laag en de SAF laag, en een op Mn-Gebaseerde antiferromagnetic het spelden laag in contact met de SAF laag wordt geplaatst. De SAF laag omvat eerst en tweede ferromagnetische lagen CoFe en een Ru verbindingsstuklaag die tussen en direct in contact met ferromagnetische lagen eerste en tweede CoFe wordt geplaatst.
