Magnetic random access memory

   
   

A read block is constituted of a plurality of TMR elements arranged in a lateral direction. One end of each of the TMR elements in the read block is connected in common, and connected to a source line via a read select switch. The other ends of TMR elements are independently connected to read bit lines/write word lines. The read bit lines/write word lines are connected to common data lines via a row select switch. The common data lines are connected to a read circuit.

Un blocco colto è costituito di una pluralità di elementi di TMR organizzati in un senso laterale. Una conclusione di ciascuno degli elementi di TMR nel blocco colto è collegata il in comune ed è collegata ad una linea di fonte via un interruttore prescelto colto. Le altre estremità degli elementi di TMR sono collegate indipendentemente per leggere le linee di parola della punta lines/write. Le linee colte di parola della punta lines/write sono collegate alle linee di dati comuni via un interruttore prescelto di fila. Le linee di dati comuni sono collegate ad un circuito colto.

 
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< Memory cell strings

< System and method generating a trajectory for an end effector

> Multi-headed decoder structure utilizing memory array line driver with dual purpose driver device

> Sense amplifier bias circuit for a memory having at least two distinct resistance states

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