Semiconductor capacitor with diffusion prevention layer

   
   

There is provided the capacitor which has the lower electrode having a structure in which the first conductive layer containing a first metal, the second conductive layer that is formed on the first conductive layer and made of the metal oxide of the second metal different from the first metal, and the third conductive layer that is formed on the second conductive layer and made of the third metal different from the first metal are formed sequentially; the dielectric layer formed on the lower electrode; and the upper electrode formed on the capacitor dielectric layer.

Обеспечено конденсатору имеет более низкий электрод иметь структуру в первый проводной слой содержа первый металл, второй проводной слой который сформирован на первом проводном слое и сделан окиси металла второго металла отличающегося от первый металл, и третий проводной слой который сформирован на втором проводном слое и сделан третьего металла отличающегося от первый металл сформированы последовательн; диэлектрический слой сформировал на более низком электроде; и верхний электрод сформировал на слое диэлектрика конденсатора.

 
Web www.patentalert.com

< Textured Bi-based oxide ceramic films

< Semiconductor device having a capacitor and method of manufacturing the same

> Method of fabricating semiconductor device, and semiconductor device

> Optical branching device

~ 00107