Wiring of the Dual-Damascene structure is formed without using the CMP
method.
As shown in FIG. 1A, oxygen ions are implanted from an upper surface under
the condition that the oxygen ions reach a position a little deeper than
the thickness t1 of the copper film 11 on the SiO.sub.2 layer 2. Due to
the foregoing, as shown in FIG. 1B, the copper film 11 on the SiO.sub.2
layer 2 and the copper films on the upper portions of the first wiring
section 18 and the second wiring section 19 are oxidized, and the oxidized
layer 13 is formed. Since the dielectric constant of copper oxide is high,
the first wiring section 18 and the second wiring section 19 are insulated
from each other. Therefore, it is possible to obtain a highly reliable
wiring structure easily.
A fiação da estrutura do Duplo-dual-Damascene é dada forma sem usar o método do CMP. Como mostrado em FIG. 1A, os íons do oxigênio implanted de uma superfície superior sob a condição que os íons do oxigênio alcançam uma posição um pouco mais profundo do que o T1 da espessura da película de cobre 11 SiO.sub.2 na camada 2. devido ao antecedente, como mostrado em FIG. 1B, a película de cobre 11 SiO.sub.2 na camada 2 e as películas de cobre nas parcelas superiores da primeira seção 18 da fiação e da segunda seção 19 da fiação são oxidados, e a camada oxidada 13 é dada forma. Desde que a constante dieléctrica do óxido de cobre é elevada, a primeira seção 18 da fiação e a segunda seção 19 da fiação são isoladas de se. Conseqüentemente, é possível obter fàcilmente uma estrutura altamente de confiança da fiação.
