A buffer cell and an inverter cell are embedded in advance in an internal
open space of each of mega-cells and IO cells composing a semiconductor
integrated circuit. Thereafter, in cases where it is expected that a
cross-talk noise is generated in a signal transmitting through a
particular wire of the semiconductor integrated circuit, one mega-cell or
one IO cell, which is placed in a position nearest to a generation
position of the cross-talk noise, is selected from the mega-cells and the
IO cells, and the buffer cell or the inverter cell embedded in the
selected mega-cell or the selected IO cell is inserted into the particular
wire. Therefore, because the capacitance between the particular wire and
each wire adjacent to the particular wire is reduced, the cross-talk noise
can be reduced.
Eine Pufferzelle und eine Inverterzelle werden im voraus in einem internen geöffneten Raum von jeder von den Groß-zellen und VON IO Zellen eingebettet, die eine Halbleiterintegrierte Schaltung bestehen. Danach in den Fällen wo es erwartet wird, daß Übersprechengeräusche in einem Signal erzeugt werden, das durch eine bestimmte Leitung der Halbleiterintegrierten Schaltung überträgt, wird eine Groß-zelle oder eine IO Zelle, die in eine Position nahe in eine Erzeugung Position der Übersprechengeräusche gelegt wird, von den Groß-zellen und von den IO Zellen und von der Pufferzelle oder von der Inverterzelle, die in der vorgewählten Groß-zelle eingebettet werden oder von der vorgewählten IO Zelle wird eingesetzt in die bestimmte Leitung vorgewählt. Folglich weil die Kapazitanz zwischen der bestimmten Leitung und jeder Leitung neben der bestimmten Leitung verringert wird, können die Übersprechengeräusche verringert werden.
