Semiconductor device having radiation structure

   
   

A semiconductor device includes two semiconductor chips that are interposed between a pair of radiation members, and thermally and electrically connected to the radiation members. One of the radiation members has two protruding portions and front ends of the protruding portions are connected to principal electrodes of the semiconductor chips. The radiation members are made of a metallic material containing Cu or Al as a main component. The semiconductor chips and the radiation members are sealed with resin with externally exposed radiation surfaces.

Ein Halbleiterelement schließt zwei Halbleiterspäne, die zwischen einem Paar Strahlung Mitgliedern vermittelt werden, und thermisch und elektrisch angeschlossen an die Strahlung Mitglieder mit ein. Eins der Strahlung Mitglieder hat zwei hervorstehende Teile und vordere Enden der hervorstehenden Teile werden an Hauptelektroden der Halbleiterspäne angeschlossen. Die Strahlung Mitglieder werden von einem metallischen Material gebildet, das Cu oder Al als Hauptbestandteil enthält. Die Halbleiterspäne und die Strahlung Mitglieder werden mit Harz mit außen herausgestellten Strahlung Oberflächen versiegelt.

 
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