Deposition of thin films or powders by reactive pulsed arc molecular beam
deposition. To produce these films and powders, a reactive or non-reactive
gas is pulsed between a pair of electrodes situated within a vacuum
chamber. The gas can be either chemically inert, to produce pure cathode
material films, or chemically reactive, to produce chemical compounds of
the cathode material. A storage capacitor is discharged between the
electrode pair during the gas pulse. The gas serves as a carrier to direct
and transport the ablated material to a substrate which is placed inline
with the gas pulse, on which a film or powder of the electrode material or
a chemical compound of the electrode material is then coated.
Deposición de películas finas o de polvos por la deposición molecular pulsada reactiva de la viga del arco. Para producir estas películas y polvos, un gas reactivo o non-reactive se pulsa entre un par de electrodos situados dentro de un compartimiento del vacío. El gas puede ser o químicamente inerte, producir las películas materiales del cátodo puro, o químicamente reactivo, para producir los compuestos químicos del material del cátodo. Un condensador del almacenaje se descarga entre el par del electrodo durante el pulso del gas. El gas sirve como portador para dirigir y para transportar el material separado por ablacio'n a un substrato que se coloque en línea con el pulso del gas, en el cual una película o un polvo del material del electrodo o de un compuesto del producto químico del material del electrodo entonces está cubierta.
