Three fundamental and three derived aspects of the present invention are
disclosed. The three fundamental aspects each disclose a process sequence
that may be integrated in a full process. The first aspect, designated as
"latent masking", defines a mask in a persistent material like silicon
oxide that is held abeyant after definition while intervening processing
operations are performed. The latent oxide pattern is then used to mask an
etch. The second aspect, designated as "simultaneous multi-level etching
(SMILE)", provides a process sequence wherein a first pattern may be given
an advanced start relative to a second pattern in etching into an
underlying material, such that the first pattern may be etched deeper,
shallower, or to the same depth as the second pattern. The third aspect,
designated as "delayed LOCOS", provides a means of defining a contact hole
pattern at one stage of a process, then using the defined pattern at a
later stage to open the contact holes. The fourth aspect provides a
process sequence that incorporates all three fundamental aspects to
fabricate an integrated liquid chromatography (LC)/electrospray ionization
(ESI) device. The fifth aspect provides a process sequence that
incorporates two of the fundamental aspects to fabricate an ESI device.
The sixth aspect provides a process sequence that incorporates two of the
fundamental aspects to fabricate an LC device. The process improvements
described provide increased manufacturing yield and design latitude in
comparison to previously disclosed methods of fabrication.
Показаны 3 основных и 3 выведенных аспекта присытствыющего вымысла. 3 основных аспекта каждое показывают отростчатую последовательность может быть интегрирована в полном процессе. Первый аспект, предназначенный как "скрытый маскировать", определяет маску в упорнейшем материале как окись кремния которая держится abeyant после определения пока вмешиваясь обрабатывая деятельности выполнены. Скрытая картина окиси после этого использована для того чтобы замаскировать etch. Второй аспект, предназначенный как "одновременное multi-level вытравливание (УСМЕШКА)", снабубежит отростчатую последовательность при котором первая картина может даться сдвиг начальной точки по отношению к второй картине в вытравлять в основной материал, такое что первая картина может быть вытравленные глубокими, отмело, или такая же глубина как вторая картина. Третий аспект, предназначенный как "задержал LOCOS", обеспечивает середины определять картину отверстия контакта на одном этапе процесса, тогда использовать определенную картину на более поздней стадии для того чтобы раскрыть отверстия контакта. Четвертый аспект обеспечивает отростчатую последовательность включает все 3 основных аспекта для того чтобы изготовить интегрированную жидкостную хромотографию (приспособление ионизацией LC)/electrospray (ESI). Пятый аспект обеспечивает отростчатую последовательность включает 2 из основных аспектов для того чтобы изготовить приспособление ESI. Шестой аспект обеспечивает отростчатую последовательность включает 2 из основных аспектов для того чтобы изготовить приспособление lc. Описанные развития процесса обеспечивают увеличенную широту выхода и конструкции изготавливания in comparison to ранее показанные методы изготовления.
