Semiconductor interlayer dielectric material and a semiconductor device using the same

   
   

The present invention relates to low a dielectric material essential for a next generation semiconductor with high density and high performance, and more particularly to a low dielectric material that is thermally stable and has good film-forming properties and excellent mechanical properties, a dielectric film comprising the low dielectric material, and a semiconductor device manufactured using the dielectric film. The present invention provides an organic silicate polymer having a flexible organic bridge unit in the network prepared by the resin composition of the component (a) and the component (b). a) organosilane of the formula R.sup.1.sub.m R.sup.2.sub.n SiX.sub.4-m-n (where each of R.sup.1 and R.sup.2 which may be the same or different, is a non-hydrolysable group; X is a hydrolysable group; and m and n are integers of from 0 to 3 satisfying 0.ltoreq.m+n.ltoreq.3) and/or a partially hydrolyzed condensate thereof b) organic bridged silane of the formula R.sup.3.sub.p Y.sub.3-p Si--M--SiR.sup.4.sub.q Z.sub.3-q (where each of R.sup.3 and R.sup.4 which may be the same or different, is a non-hydrolysable group; each of Y and Z which may be the same or different, is a hydrolysable group; and p and q are integers of from 0 to 2) and/or a cyclic oligomer with organic bridge unit (Si--M--Si).

Η παρούσα εφεύρεση αφορά χαμηλό ένα διηλεκτρικό υλικό ουσιαστικό για έναν ημιαγωγό επόμενης γενεάς με την υψηλή πυκνότητα και την υψηλή απόδοση, και ειδικότερα ένα χαμηλό διηλεκτρικό υλικό που είναι θερμικά σταθερό και έχει τις καλές film-forming ιδιότητες και τις άριστες μηχανικές ιδιότητες, μια διηλεκτρική ταινία περιλαμβάνοντας το χαμηλό διηλεκτρικό υλικό, και μια συσκευή ημιαγωγών που κατασκευάζεται που χρησιμοποιεί τη διηλεκτρική ταινία. Η παρούσα εφεύρεση παρέχει ένα οργανικό πολυμερές σώμα πυριτικών αλάτων που έχει μια εύκαμπτη οργανική μονάδα γεφυρών στο δίκτυο που προετοιμάζεται από τη σύνθεση ρητίνης του συστατικού (α) και του συστατικού (β). α) organosilane του τύπου R.sup.1.sub.m R.sup.2.sub.n σηΞ.σuψ.4-μ-ν (όπου κάθε ένα από R.sup.1 και R.sup.2 που μπορούν να είναι τα ίδια ή διαφορετικά, είναι μη-χυδρολυσαψλε ομάδα το Χ είναι hydrolysable ομάδα και το μ και το ν είναι ακέραιοι αριθμοί από 0 έως 3 ικανοποιητικός 0.ltoreq.m+n.ltoreq.3) ή/και μερικώς υδρολυμένο συμπυκνωμένο επ' αυτού β) οργανικό γεφυρωμένο silane του Si υ.σuψ.3-Π -- μ τύπου R.sup.3.sub.p -- SiR.sup.4.sub.q ζ.σuψ.3-Θ*q (όπου κάθε ένα από R.sup.3 και R.sup.4 που μπορούν να είναι τα ίδια ή διαφορετικά, είναι μη-χυδρολυσαψλε ομάδα κάθε ένα από το Υ και το ζ που μπορούν να είναι τα ίδια ή διαφορετικά, είναι hydrolysable ομάδα και το π και το q είναι ακέραιοι αριθμοί από 0 έως 2) και/©έ

 
Web www.patentalert.com

< Magnetic information recording medium having regions magnetized in different directions, a method for recording and reproducing for the same, and a method of manufacturing the same

< Article having photocatalytic activity

> Amplitude tunable filter

> Fine carbon wires and methods for producing the same

~ 00102