Method for etching a dielectric layer formed upon a barrier layer

   
   

A method for etching a dielectric layer formed upon a barrier layer with an etch chemistry including C.sub.x H.sub.y F.sub.z, in which x.gtoreq.2, y.gtoreq.2, and z.gtoreq.2 is provided. Such an etch chemistry may be selective to the barrier layer. For example, the etch chemistry may have a dielectric layer:barrier layer selectivity of at least approximately 20:1, but may range from approximately 20:1 to approximately 50:1. Therefore, etching a dielectric layer with such an etch chemistry may terminate upon exposing an upper surface of the barrier layer. As such, a thickness of a barrier layer used to protect an underlying layer may be reduced to, for example, approximately 100 angstroms to approximately 150 angstroms. In addition, critical dimensions of contact openings formed with such an etch chemistry may be substantially uniform across a wafer. Furthermore, critical dimensions of contact openings formed with such an etch chemistry may be uniform from wafer to wafer.

Eine Methode für das Ätzen einer dielektrischen Schicht bildete sich nach einer Grenzschicht mit einer Ätzungchemie einschließlich C.sub.x H.sub.y F.sub.z, in dem x.gtoreq.2, y.gtoreq.2 und z.gtoreq.2 zur Verfügung gestellt wird. Solch eine Ätzungchemie kann zur Grenzschicht vorgewählt sein. Z.B., die Ätzungchemie kann eine Schichtselektivität des Nichtleiters layer:barrier von mindestens ungefähr 20:1 haben, aber kann von ungefähr 20:1 bis ungefähr 50:1 reichen. Folglich kann das Ätzen einer dielektrischen Schicht mit solch einer Ätzungchemie nach dem Herausstellen einer Oberfläche der Grenzschicht beenden. Als solcher, kann eine Stärke einer Grenzschicht, die verwendet wird, um eine zugrundeliegende Schicht zu schützen, auf verringert werden z.B. ungefähr 100 Angstroms zu ungefähr 150 Angstroms. Zusätzlich, kritische Maße der Kontaktöffnungen, die mit solch einer Ätzungchemie gebildet werden, kann über einer Oblate im wesentlichen konstant sein. Ausserdem, kritische Maße der Kontaktöffnungen, die mit solch einer Ätzungchemie gebildet werden, kann von Oblate zu Oblate konstant sein.

 
Web www.patentalert.com

< Chemo-enzymatic synthesis of optically enriched rose-oxides

< Method of making coated articles and coated articles made thereby

> Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same

> Semiconductor device and method of manufacturing the same

~ 00101