A semiconductor device, which uses a crystalline silicon film having high
crystallinity and a flat surface with few ridges and has high
characteristics, and a method of manufacturing the semiconductor device
are provided. According to the manufacturing method, a first amorphous
silicon film is crystallized by using a heat treatment. A second amorphous
silicon film is formed on a first crystalline silicon film thus obtained
as an under film, and the second amorphous silicon film is crystallized by
irradiation of laser light, so that a silicon film having excellent
crystallinity and a surface with few ridges is obtained. The first
crystalline silicon film and the second crystalline silicon film having
different crystal structures are used as an active layer of a thin film
transistor.
Un dispositif de semi-conducteur, qui emploie un film cristallin de silicium ayant la cristalinité élevée et une surface plate avec peu d'arêtes et a des caractéristiques élevées, et une méthode de fabriquer le dispositif de semi-conducteur sont fournis. Selon la méthode de fabrication, un premier film amorphe de silicium est cristallisé en employant un traitement thermique. Un deuxième film amorphe de silicium est formé sur un premier film cristallin de silicium obtenu ainsi comme film de dessous, et le deuxième film amorphe de silicium est cristallisé par irradiation de lumière de laser, de sorte qu'un film de silicium ayant l'excellente cristalinité et une surface avec peu d'arêtes soit obtenu. Le premier film cristallin de silicium et le deuxième film cristallin de silicium ayant différentes structures en cristal sont employés comme couche active d'un transistor de la couche mince.
