Semiconductor laser

   
   

A semiconductor laser includes semiconductor layers stacked on a substrate, and a pair of resonator end surfaces opposed to each other in the direction perpendicular to the stacking direction. In this semiconductor laser, a light emission side reflecting film is formed on one of the resonator end surfaces. A refractive index of the reflecting film against an emission wavelength of laser light is set to a value between an effective refractive index and a refractive index of the substrate. Another semiconductor laser includes a light emission function layer stack including a cladding layer and an active layer formed on one place of a translucent substrate; two electrodes having different polarities, which are provided on the light emission function layer stack side; and a light leakage preventive film formed on the other plane of the translucent substrate.

Um laser do semicondutor inclui as camadas do semicondutor empilhadas em uma carcaça, e um par das superfícies da extremidade do ressonador opostas a se na perpendicular do sentido ao sentido de empilhamento. Neste laser do semicondutor, uma película refletindo lateral da emissão clara é dada forma em uma das superfícies da extremidade do ressonador. Um índice refractive da película refletindo de encontro a um wavelength da emissão da luz de laser é ajustado a um valor entre um índice refractive eficaz e um índice refractive da carcaça. Um outro laser do semicondutor inclui uma pilha clara da camada da função da emissão including uma camada do cladding e uma camada ativa dadas forma em um lugar de uma carcaça translúcida; dois elétrodos que têm as polaridades diferentes, que são fornecidas no lado claro da pilha da camada da função da emissão; e uma película preventiva do escapamento claro deu forma no outro plano da carcaça translúcida.

 
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