Photolithographic pattern-forming material and method for formation of fine pattern therwith

   
   

Disclosed is a photolithographic pattern-forming material capable of giving a fine patterned resist layer rapidly and being used repeatedly. The pattern-forming material is a multilayered body comprising a substrate and a photoresist layer thereon which is overlaid with a three-layered composite film for near-field light generation consisting of an intermediate layer of a non-linear optical material such as antimony sandwiched between two dielectric layers. When irradiated with active rays focused on the optically nonlinear layer, a fine optical window or light scattering point is formed therein where a near-field light is generated to pattern-wise expose the photoresist layer.

Ein photolithographic gegeben die Muster-Formung Material frei, das zum Geben einer Geldstrafe fähig ist, die patterned ist, widerstehen Schicht schnell und wiederholt verwendend. Das Muster-bildenmaterial ist ein vielschichtiger Körper, der darauf ein Substrat und eine Photoschicht enthält, die overlaid mit einem drei-überlagerten zusammengesetzten Film für near-fangen das helle Erzeugung ist, das aus einer Zwischenschicht eines nicht linearen optischen Materials wie Antimon besteht, das zwischen zwei dielektrischen Schichten sandwiched ist. Als bestrahlt mit aktiven Strahlen, konzentrierte auf die optisch nichtlineare Schicht, ein feines optisches Fenster, oder Lichtstreuungpunkt wird darin gebildet, wo ein near-fangen Licht zum Muster-klugen Exposé die Photoschicht erzeugt wird.

 
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< Process for preparing saturated carboxylic acids having from 1 to 4 carbon atoms

< Infrared-reflecting bodies

> Interfacial barrier layer in semiconductor devices with high-K gate dielectric material

> Zeolite-substrate composite comprising a patterned zeolite layer on a substrate and preparation thereof

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